PECVD系統(等離子體增強化學氣相沉積)是一種先進的材料制備技術，它在微電子、光電子、半導體、新材料等領域有著廣泛的應用。系統通過將輝光放電產生的等離子體與反應氣體相結合，實現了在較低溫度下制備高質量的薄膜材料。
 

　　一、基本原理
 

　　原理是利用輝光放電產生的等離子體中的離子和電子與反應氣體發生化學反應，生成所需的薄膜材料。輝光放電是一種低氣壓下的氣體放電方式，其特點是在陰極附近產生大量的正離子和電子，這些帶電粒子在電場的作用下加速向陰極運動，與反應氣體分子發生碰撞，從而引發一系列的化學反應。
 

　　二、系統組成
 

　　PECVD系統主要由以下幾個部分組成：
 

　　真空腔室：用于容納待處理的基片和反應氣體，是系統的核心部分。
 

　　輝光放電裝置：產生等離子體的設備，通常由兩個電極(陰極和陽極)組成。
 

　　電源系統：為輝光放電提供所需的直流或交流電源。
 

　　氣體供給系統：提供反應氣體，如硅烷、氨氣等。
 

　　控制系統：控制系統的運行參數，如真空度、溫度、氣體流量等。
 

　　基片加熱裝置：為了使基片表面溫度均勻，通常需要加熱基片。
 

　　質量流量計：用于控制反應氣體的流量。
 

　　真空泵：用于維持系統的真空狀態。
 

　　測量儀器：用于實時監測系統的運行狀態和薄膜質量。

 

　　三、應用領域
 

　　微電子領域：PECVD技術可用于制備硅薄膜、二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜等，廣泛應用于集成電路、微電子器件等領域。
 

　　光電子領域：PECVD技術可用于制備各種光學薄膜，如增透膜、反射膜等，廣泛應用于光學儀器、太陽能光伏等領域。
 

　　半導體領域：PECVD技術可用于制備半導體材料，如氮化鎵、磷化銦等，廣泛應用于LED、激光器等領域。